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J-GLOBAL ID：200903026667814841
ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164448
Publication number (International publication number)：1993017291
Application date： Jul. 04, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜堆積用基板表面に存在する不純物や酸化膜を除去し清浄化を図ることによって、より改善された結晶性のダイヤモンド薄膜の堆積を可能にするためのダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法を提供する。【構成】 真空槽102内に導入した水素ガスに、電磁石110により磁界を印加し、マイクロ波発振器108からの電磁波を作用させて生じた水素ラジカルないしイオンを含む雰囲気にダイヤモンド薄膜堆積用基板を晒す。
Claim (excerpt)：
真空槽内で、ダイヤモンド薄膜堆積用基板を水素ラジカルないしは水素イオンを含む雰囲気に晒すことからなるダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法。
IPC (3)：
C30B 29/04
, C30B 25/18
, H01L 21/205
Cited by examiner (5)
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