Pat
J-GLOBAL ID：200903026669229245
トンネル接合面発光レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000321679
Publication number (International publication number)：2002134835
Application date： Oct. 20, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 低抵抗で吸収ロスの少ないトンネル接合を形成し、低抵抗で、かつ低閾値のトンネル接合面発光レーザを提供する。【解決手段】 図はトンネル接合部112のバンド構造図を示したものである。トンネル接合を有する面発光レーザにおいて、当該トンネル接合112がp型の導電性を有する第1の半導体層112aとn型の導電性を有する第2の半導体層112bから構成され、第1の半導体層112aと第2の半導体層112bの吸収端波長205、206が前記面発光レーザの発振波長より短く、かつ前記第1の半導体層112aと第2の半導体層112bにより形成されるヘテロ接合界面がタイプIIのヘテロ接合界面を形成しており、前記第1の半導体層112aの伝導帯の下端エネルギー準位205が、前記第2の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位206よりも高いことを特徴とするトンネル接合面発光レーザ。
Claim (excerpt)：
トンネル接合を有する面発光レーザにおいて、当該トンネル接合が少なくとも、p型の導電性を有する第1の半導体層とn型の導電性を有する第2の半導体層から構成され、当該第1の半導体層と第2の半導体層の吸収端波長が前記面発光レーザの発振波長より短く、かつ前記第1の半導体層と第2の半導体層により形成されるヘテロ接合界面がタイプIIのヘテロ接合界面を有し、前記第1の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位が、前記第2の半導体層の伝導帯の下端エネルギー準位よりも高いことを特徴とするトンネル接合面発光レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (7)：
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA21
, 5F073EA23
, 5F073EA28
