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J-GLOBAL ID：200903026675578952

ポリイミド樹脂膜の形成方法及びポリイミド樹脂膜形成装置

Inventor： 林 伸之 ,  谷 元昭 ,  町田 裕幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142035
Publication number (International publication number)：1996008170
Application date： Jun. 23, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ポリイミド前駆体を基板上に製膜する際に、製膜環境を湿度30%以下に設定し、露光、現像後に発生するクラックを防止し、高品質の絶縁膜を提供することを目的とする。【構成】 ポリイミド前駆体を基板上に製膜する環境を、容器12で封止し、湿度30%以下の低湿度気体を容器12内へ導入して、製膜環境を湿度30%以下に設定する。この容器内部でポリイミド前駆体は、製膜環境を湿度30%以下でスピンコート法により製膜される

Claim (excerpt)：

ポリイミド前駆体を基板上に被膜形成した後、該ポリイミド前駆体膜に対して熱処理を行なうことにより、ポリイミド樹脂膜を形成するポリイミド樹脂膜の形成方法において、上記ポリイミド前駆体を基板上に被膜形成する際、少なくとも該ポリイミド前駆体膜を形成する膜形成領域の湿度を制御して、該ポリイミド前駆体膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 564 C