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J-GLOBAL ID:200903026675873946

半導体メモリ及びメモリカード及びEEPROMの電源駆動方式

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994041279
Publication number (International publication number):1995021791
Application date: Mar. 11, 1994
Publication date: Jan. 24, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】高効率の電源回路を具備したEEPROM等の半導体メモリ及びこれを用いたメモリカード並びに電源駆動方式を提供する。【構成】EEPROM型メモリチップを内蔵したICメモリカード等において、平面インダクタを用いた高電圧変換効率を有するDC-DCコンバータを設け入力直流電圧を昇圧し、降圧レギュレータでこのDC-DCコンバータの出力直流電圧を調整し半導体メモリに電力供給を行う。これにより、消費電力の低減が可能となり、また単一電源動作が可能となり、電源の小型化及び長時間電池動作が可能となる。また、本発明はICカード以外の携帯情報機器にも同様に適用できる。
Claim (excerpt):
所定の直流電源電圧によって駆動される半導体素子と、インダクタンス素子とスイッチング素子とを用いたスイッチングコンバータ方式により入力直流電圧を変換して出力直流電圧を発生するDC-DCコンバータ、及び前記出力直流電圧を前記所定の直流電源電圧に変換し前記半導体素子に供給するレギュレータを含む電源回路と、を具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
G11C 16/06 ,  B42D 15/10 521 ,  G11C 5/00 302 ,  H01F 17/00 ,  H02M 3/28

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