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J-GLOBAL ID：200903026683327837

固体材料からなる薄膜の作製方法

Inventor：
ベルナール・アスパー

About ベルナール・アスパー

, 
ミシェル・ブリュル

About ミシェル・ブリュル


Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

About コミツサリア タ レネルジー アトミーク


Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000506678
Publication number (International publication number)：2001512906
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Aug. 28, 2001
Summary：
【要約】本発明は、固体材料からなる薄膜の作製方法に関するものであって、-基板内にマイクロキャビティ層を形成し得るようなイオンを使用して、基板に、所定温度でもって所定時間にわたってイオン打込を行うステップと、-マイクロキャビティ層を境界として基板に裂け目を得る目的で、所定時間にわたって所定温度とするというアニールステップと、を具備してなり、アニールステップを、イオン打込ステップにおける熱的組合せと打込イオンの照射量と打込イオンのエネルギーとを考慮して決定される熱的組合せに従って、行うことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
固体材料からなる薄膜の作製方法であって、-前記固体材料からなる基板の体積内においてイオンの平均侵入深さのあたりにマイクロキャビティ層またはマイクロバブル層を形成し得るようなイオンを使用して、前記基板の一面を通して、所定温度でもって所定時間にわたって、イオン打込を行うステップと、-前記マイクロキャビティ層または前記マイクロバブル層を境界として前記基板に裂け目を得る目的で、前記マイクロキャビティ層または前記マイクロバブル層を所定時間にわたって所定温度とするというアニールステップと、を少なくとも具備してなり、 前記基板に裂け目を得るための前記アニールステップを、前記イオン打込ステップにおける熱的組合せと打込イオンの照射量と打込イオンのエネルギーと他のステップが行われる場合にはそのステップにおける熱的組合せとを考慮して決定される熱的組合せに従って、行うことを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265
FI (2)：
H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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