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J-GLOBAL ID：200903026685981038

半導体装置の製造方法

Inventor： 桂 敏彦 ,  樋口 勝敏 ,  安部 正泰
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996171915
Publication number (International publication number)：1998022285
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線表面の酸化を防止し、もって配線抵抗の低いCuによる多層配線を形成する。【解決手段】 半導体基板1表面に形成された溝3にCu5を埋め込む。その後無電解メッキ溶液を含有した研磨剤を用いて半導体基板1表面に析出したCu5を研磨する。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成された溝に金属を埋め込む工程と、無電解メッキ溶液を含有した研磨剤を用いて前記半導体基板表面に析出した前記金属を研磨する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (4)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の金属配線およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-353934   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置を化学機械的に研摩する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068643   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド