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J-GLOBAL ID：200903026692085382

光半導体装置

Inventor： 田淵 晴彦 ,  法月 真澄 ,  後藤 正見
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995136933
Publication number (International publication number)：1996330673
Application date： Jun. 02, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は光半導体装置に関し、レーザビーム径変換導波路部のコア層の厚さ漸次減少部分の結晶歪を少なくして、信頼性の向上を目的とする。【構成】 レーザビーム発生領域部51とレーザビーム径変換導波路部52とを一体的に有する。レーザビーム径変換導波路部52は、コア層54の一部をなす厚さ漸次減少部分54aと、上下のクラッド層56,55と、コア層54と下側クラッド層55との間の伝搬定数低下強調層57と、コア層54と上側クラッド層55との間の伝搬定数低下強調層58とを有する。伝送定数低下強調層57,58は、クラッド層55,56の屈折率n11よりも低い屈折率n12を有する。層57,58は、伝搬定数を低下させるように作用する。このため、厚さ漸次減少部分54aの相対厚さt11/t10は、0.7 と大きい。

Claim (excerpt)：

コア層と、該コア層の下側の下側クラッド層と、該コア層の上側の上側クラッド層と、該コア層と該下側クラッド層との間、又は該コア層と該上側クラッド層との間に配されており、該コア層の屈折率より低く、且つ該下側クラッド層の屈折率より低い屈折率を有する伝搬定数低下強調層とよりなるレーザビーム径変換領域部を有する構成としたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  H01S 3/10

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/10 Z ,  G02B 6/12 A