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J-GLOBAL ID：200903026694705337

チタン酸ビスマス強誘電体膜

Inventor： 山田 直樹 ,  増子 哲史 ,  小野沢 和久
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998216026
Publication number (International publication number)：2000044240
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 比較的融点が低く、室温で液体またはわずかな加温で液化し取り扱い易く、また昇華ではなく蒸発によって気化が可能で、成膜室への原料の供給量の制御が容易であり、さらに、熱安定性や分解速度が特にCVD原料に好適なビスマス化合物を用いてなるチタン酸ビスマス強誘電体膜を提供すること。【解決手段】 本発明のチタン酸ビスマス強誘電体膜は、下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を原料として用いてなるものである。【化1】

Claim (excerpt)：

下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を原料として用いてなることを特徴とするチタン酸ビスマス強誘電体膜。【化1】

IPC (2)：

C01G 23/00 ,  C01G 29/00

FI (2)：

C01G 23/00 C ,  C01G 29/00

F-Term (11)：

4G047CA05 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD10 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08