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J-GLOBAL ID:200903026695048763
酸化物薄膜構造物および薄膜の製造方法並びに圧電センサー・アクチュエータ
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995337262
Publication number (International publication number):1997181369
Application date: Dec. 25, 1995
Publication date: Jul. 11, 1997
Summary:
【要約】【課題】有機物の上に白金層を堆積させたのち、さらに酸化物薄膜を形成することにより、圧電素子等の応用しやすい構成とすることができ、かつ紫外線レーザを用いることにより、熱に弱い基板上においても安定に酸化物薄膜を形成する製造法を提供する。【解決手段】イオンビームスパッタ機構に、エキシマレーザによる紫外線レーザ光の照射機構を併設させ、10Hzの繰り返し周波数で、約100mJ/cm2のパルスレーザ光を薄膜堆積時に照射する。酸化物薄膜として圧電性を有する厚さ3μmのPbTiO3薄膜6を、厚さ0.1μmの白金層9を設けた50μm厚さのポリイミドフィルム8の上に形成する。堆積時にはXeClガスを用いたエキシマレーザの紫外線照射を行い、室温雰囲気下で薄膜6を形成する。エキシマレーザの波長は308nm、パルス光は1秒間に10回の照射である。
Claim (excerpt):
有機物基板の表面に形成した白金層、および前記白金層の上に形成した酸化物薄膜を備えた酸化物薄膜構造物。
IPC (5):
H01L 41/09
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01L 41/18
, H01L 41/22
FI (5):
H01L 41/08 C
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA W
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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