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J-GLOBAL ID：200903026697754851

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 森川 隆史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137057
Publication number (International publication number)：1997321044
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SOG膜からの放出ガス防止のコンタクトホール側壁のサイドウォール絶縁膜を用いずに、SOG膜による平坦化技術を用いた多層配線構成の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1層配線12と上層の配線となる第2層配線18とを接続するコンタクトホールの開口16および疑似コンタクトホールの開口27、28を形成した後に、真空加熱による脱ガス処理を行い、その後に上層の配線となる金属配線膜を堆積し、パターニングして第2層配線18を形成する。【効果】 サイドウォール絶縁膜を形成せずに、コンタクト抵抗増加や信頼性劣化のない半導体装置の作製が可能となる。

Claim (excerpt)：

SOG膜による平坦化技術を用いる多層配線構造の半導体装置において、下層配線と上層配線とを接続するコンタクトホールの近傍で、前記下層配線と前記上層配線とが形成されない領域に複数個の疑似コンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/95