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J-GLOBAL ID：200903026717720690

半導体記憶装置

Inventor： 福本 高大
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992030415
Publication number (International publication number)：1993226662
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 応答速度が速く、かつ他のデバイスとの整合性がよい半導体記憶装置を提供する。【構成】 半導体基板10の上部に第一のゲート絶縁膜11を介して第一層目のポリシリコンからなる浮遊ゲート12と選択ゲート13を同一ゲート絶縁膜上に並べて配置しそれらの2つのゲート電極に対して自己整合的に配置した拡散層15,16を持ち、前記2つのゲート電極全体を第二の絶縁膜17を介して第二層目のポリシリコンからなる制御ゲート18で覆った構造とした。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板の表面領域に互いに離れて設けられた、前記一導電型半導体基板と反対導電型の第一および第二の拡散層を備え、前記第一と第二の拡散層に挟まれたチャネル領域上に第一のゲート絶縁膜を備え、前記第一のゲート絶縁膜上に第一の拡散層に対して自己整合的に位置した浮遊ゲート電極と第二の拡散層に対して自己整合的に位置した選択ゲート電極を備え、前記浮遊ゲート及び選択ゲートを絶縁膜を介して共に覆うように、制御電極を設けたような電気的書込み消去可能な半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792