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J-GLOBAL ID：200903026719056584

半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ

Inventor： 宮嶋 孝夫 ,  ヤン ル ベレゴ ,  河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997078060
Publication number (International publication number)：1998012924
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaNのエピタキシャル成長を、基板とすぐれた整合性をもって行うことができた半導体積層構造を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板1上に、少なくとも1層以上のGaN系化合物半導体層を形成してなる半導体積層構造であって、その基板1の主面が(111)、または(110)、あるいは(001)結晶面よりなる構成とする。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト構造を有する基板上に、少なくとも1層以上のAl,B,Ga,Inのうちの1元素以上とNとを含む化合物半導体層を形成してなる半導体積層構造であって、上記基板の主面が(111)、または(110)、あるいは(001)結晶面よりなることを特徴とする半導体積層構造。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18 ,  C30B 23/08

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18 ,  C30B 23/08 M