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J-GLOBAL ID：200903026719249781

露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置

Inventor： 中山 保彦 ,  押田 良忠 ,  吉田 実 ,  渡辺 正浩 ,  小森谷 進
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994120144
Publication number (International publication number)：1995326563
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高精度、高速に最適露光条件を算出できるとともに、露光装置のセットアップタイムを短縮できる露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置の提供。【構成】 少なくとも限界解像度の間隔を持ち対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンと、限界解像度の約2倍の間隔を持ち対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンとの2組からなる露光条件評価用パターンを、レチクル上の回路を形成しないところに配置し、該レチクルを用いて露光したウエハについて、露光された対向する凹パタ-ンと凸パタ-ンの間隔を測定し、その差より最適露光量を、その平均値より最適露光焦点面をそれぞれ算出し、該算出値を露光装置にフィードバックして露光装置のオフセット量を、簡易、かつ高速に測定可能にして、露光装置の安定化を可能にした露光条件評価方法および装置。

Claim (excerpt)：

レチクル上の回路パターンを感光基板上に投影露光する露光装置における露光条件評価用のパターンにおいて、前記露光装置の限界解像度のパターン幅を有してそれぞれ対向配置された直線図形からなる凹パターンおよび凸パターンと、前記露光装置の限界解像度のほぼ2倍のパターン幅を有してそれぞれ対向配置された前記図形と同図形の凹パターンおよび凸パターンとの2組からなることを特徴とする露光条件評価用パターン。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/20 521 ,  G21K 5/02 ,  H01L 21/66

FI (2)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 502 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-089305
  
• 特開昭63-066934
  
• 特開平2-089305
  
• 特開昭63-066934