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J-GLOBAL ID：200903026724354682
光学活性ジホスフィン配位子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
有賀 三幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996282157
Publication number (International publication number)：1998120692
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】 化合物(2)に遷移金属-ホスフィン錯体の存在下、ホスフィンオキシド(3)を反応せしめ、所望により還元する化合物(1)の製造方法。【化1】(式中、実線と点線の二重線は二重結合又は単結合を示し、該環が隣接するベンゼン環と一緒になってナフタレン環又はオクタヒドロナフタレン環を形成することを示し、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示し、Arはフェニル基、置換フェニル基(置換基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン化低級アルキル基から選ばれる同一又は異なっていてもよい1〜3個の基である)、低級アルキル基又は低級アルコキシ基で置換されていてもよいナフチル基を示す)【効果】 種々の不斉合成反応の触媒として有用な錯体の合成に配位子として用いる化合物(1)を経済的に製造することができる。
Claim (excerpt)：
一般式(2)【化1】(式中、実線と点線の二重線は二重結合又は単結合を示し、該環が隣接するベンゼン環と一緒になってナフタレン環又はオクタヒドロナフタレン環を形成することを示し、Tfはトリフルオロメタンスルホニル基を示し、Arはフェニル基、置換フェニル基(置換基はハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン化低級アルキル基から選ばれる同一又は異なっていてもよい1〜3個の基である)、又は低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基が置換していてもよいナフチル基を示す)で表される2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-2’-ジアリールホスフィノ-1,1’-ビナフチル又は2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-2’-ジアリールホスフィノ-1,1’-オクタヒドロビナフチルに遷移金属-ホスフィン錯体の存在下、一般式(3)Ar2P(O)H (3)(式中、Arは前記と同じものを示す)で表されるホスフィンオキシドを反応せしめ、所望により還元することを特徴とする、一般式(1)【化2】(式中、nは0又は1の数を示し、実線と点線の二重線及びArは前記と同じものを示す)で表される2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-5,5’,6,6’,7,7’,8,8’-オクタヒドロ-1,1’-ビナフチル又は2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル誘導体の製造方法。
IPC (3)：
C07F 9/32
, C07F 9/50
, C07F 9/53
C07F 9/32
, C07F 9/50
, C07F 9/53
