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J-GLOBAL ID：200903026731676148

フラッシュメモリを有する装置およびデータの書き換え方法

Inventor： 鈴木 政義
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 大塚 康徳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166391
Publication number (International publication number)：2001344156
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フラッシュメモリへのプログラムやデータなどを書込み中に電源の瞬断があった場合、電源の再入力時に自己診断処理を行い必要なエラー処理を実行することにより、装置の誤動作を防止する信頼性の高いフラッシュメモリを備えた装置を提供する。【解決手段】 図1は、瞬断などのエラー発生時に実行されるフラッシュメモリ302の書き込みを検査する自己診断処理のフローチャートである。ステップS100で、EEPROM304内のフラッシュメモリ302の書込み状態フラグ領域304aを読み出し、各ビットの“0”の有無を調べ、フラッシュメモリの書込みが正常に終了したかどうかを調べる。ステップS110で、各ビットが全て“1”の場合は、正常終了した場合であり、ステップS120に進み、終了処理および正常終了の表示を行う。一方、“0”ビットが有る異常終了の場合には、ステップS130に進み、異常ブロックを特定して必要なエラー処理を実行してから、一連の作業を終了する。

Claim (excerpt)：

フラッシュメモリにデータを格納可能な書き換え手段と、前記書き換え手段により格納されたデータに基づきCPUの処理を行うフラッシュメモリを有する装置において、前記フラッシュメモリと異なる不揮発性の記憶領域を有する記憶手段を備え、前記記憶手段は、前記不揮発性の記憶領域内に前記フラッシュメモリの記憶領域の書込み状態を記憶するフラグ領域を有することを特徴とするフラッシュメモリを有する装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 330 ,  G06F 12/16 340 ,  G11C 16/02

FI (3)：

G06F 12/16 330 C ,  G06F 12/16 340 T ,  G11C 17/00 601 E

F-Term (14)：

5B018GA03 ,  5B018GA04 ,  5B018HA40 ,  5B018JA21 ,  5B018KA22 ,  5B018LA06 ,  5B018NA06 ,  5B018QA05 ,  5B018QA06 ,  5B018QA13 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08