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J-GLOBAL ID：200903026733143112

冷陰極素子及びその製造方法

Inventor： 出口 正洋 ,  北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995092586
Publication number (International publication number)：1996212908
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンドを用いた高効率な冷陰極素子と、それを容易に得ることのできる製造方法を提供する。【構成】 基板素材2である単結晶ダイヤモンドを酸及び純水等で洗浄する。基板素材2の上に、ホウ素をドーピングした低抵抗なp形単結晶ダイヤモンド層(抵抗率:100 Ω・cm以下)をマイクロ波プラズマCVD法によって堆積し、カソード側の導電層3を形成する。導電層3の上に、絶縁体層4として二酸化シリコン膜を堆積し、所望の領域のみの二酸化シリコン膜を除去して導電層3の表面を露出させる。露出した導電層3の上に、マイクロ波プラズマCVD法を用いて単結晶のダイヤモンドを堆積し、ダイヤモンド冷陰極1を形成する。原料ガスとしては、水素で2vol%程度に希釈した一酸化炭素ガスを用いる。気相合成の条件としては、基板温度を700〜750°Cに設定する。

Claim (excerpt)：

カソード側の電極となる導電層と、前記導電層の上に形成された冷陰極部分と、前記冷陰極部分から電子を引き出すための電界を印加する引き出し電極とを備えた冷陰極素子であって、前記冷陰極部分がダイヤモンドからなり、かつ、前記冷陰極部分のうち少なくとも先端部分の形状が多角錘状であることを特徴とする冷陰極素子。

IPC (4)：

H01J 1/30 ,  C30B 29/04 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/15