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J-GLOBAL ID：200903026735759439

カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 木村 親夫 ,  長手 隆
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 安孫子 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000346358
Publication number (International publication number)：2002146534
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブを平面的に均一に高密度で配することができ、その配列状態を容易に制御することができるようにする。【解決手段】 耐熱性絶縁基板10一方の平面上に形成された炭素の薄膜11上に、Niを蒸着してNi超薄層を形成し、そのNi超薄層及び耐熱性絶縁基板10をコロナ放電により帯電させた後、Ni超薄層を加熱溶融して、Ni超微粒子を互いに離間した状態とし、その後、耐熱性絶縁基板10及びNi超微粒子の温度を下げて、Ni超微粒子を凝結させることで耐熱性絶縁基板10に固着させ、次いで、耐熱性絶縁基板10及びNi超微粒子13の除電を行い、最後に、耐熱性縁基板10及びNi超微粒子13に気相成長法により炭素を供給してNi超微粒子13を先端部に有するカーボンナノチューブ12を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に鉄族金属の金属超薄層を形成し、前記絶縁基板及び前記金属超薄層に静電気を帯電させ、前記金属超薄層を加熱溶融して、前記絶縁基板上に前記金属超薄層を構成する金属の超微粒子を互いに離間した状態に形成し、前記金属の超微粒子及び前記絶縁基板の温度を下げて前記超微粒子を凝結させることで前記絶縁基板に固着させ、前記絶縁基板及び前記超微粒子の除電を行い、前記絶縁基板及び前記超微粒子に気相成長法により炭素を供給して前記金属超微粒子を先端部に有するカーボンナノチューブを形成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (6)：

C23C 16/26 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127 ,  H01J 9/02

FI (6)：

C23C 16/26 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127 ,  H01J 9/02 B

F-Term (16)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA01 ,  4K030LA11 ,  4L037CS04 ,  4L037CT05 ,  4L037CT49 ,  4L037FA02 ,  4L037PA06 ,  4L037PA07 ,  4L037UA04