Pat
J-GLOBAL ID：200903026738484066
化合物半導体の結晶成長法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991151777
Publication number (International publication number)：1993004894
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】 昇華法あるいはハロゲン輸送法で化合物半導体のバルク単結晶を気相成長するに際し、バルク単結晶の結晶径の拡大化及び品質の再現性の向上を図る。【構成】 成長容器内の原料充填領域と結晶成長領域との中間領域に、気体の対流の発生を抑制する手段を付設して気相成長を行う。
Claim (excerpt)：
昇華法あるいはハロゲン輸送法を用いた化合物半導体バルク単結晶の気相成長方法において、成長容器の原料充填領域と結晶成長領域との中間の領域に該成長容器内の気体の対流の発生を抑制しうる内部構造物を設置し、気相成長を行うことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (2)：
Return to Previous Page
