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J-GLOBAL ID：200903026739370129

有機絶縁層の微細パターン形成方法

Inventor： 上田 昭一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991205645
Publication number (International publication number)：1993023876
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 簡単な工程で有機絶縁層に微細パターンを形成することができるとともに危険な薬品や排液処理施設を不要として有機絶縁層に微細パターンを形成可能とした。【構成】 高絶縁性有機物からなる絶縁層2にフォトレジスト膜3を形成し、所望のパターンを露光,現像して絶縁層2の不要部分を露出させ、エキシマレーザ4を照射して絶縁層2を蒸散させ、パターニングした後、フォトレジスト膜3を除去する。

Claim (excerpt)：

基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した後、前記フォトレジスト膜を露光,現像して前記絶縁層の不要部分を露出させ、前記露出部分の絶縁層にエキシマレーザを照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成し、しかる後、前記フォトレジスト膜を除去することを特徴とする有機絶縁層の微細パターン形成方法。

IPC (4)：

B23K 26/00 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 ,  H05K 3/00