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J-GLOBAL ID：200903026740699266
半導体レーザ素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996358887
Publication number (International publication number)：1998200203
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ペルチェ効果素子と半導体レーザ素子を一体化することにより、発熱部を直接冷却することができ、小型化が可能で冷却効率の良い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体レーザ素子内にペルチェ効果素子を組み込んだことを特徴とし、特にp型半導体材料からなる基板及びp型層と、活性層と、n型半導体材料からなるn型層と電極とからなり、ペルチェ効果素子がn型層に形成されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子内にペルチェ効果素子を組み込んだことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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