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J-GLOBAL ID：200903026745476990

有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ

Inventor： 大田 悟
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Agent (1)： 内藤 照雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003122623
Publication number (International publication number)：2004327857
Application date： Apr. 25, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：

【課題】移動度の高い良質な有機半導体膜を有する有機トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜上に表面処理膜を形成する工程と、表面処理膜上に有機半導体膜を形成する工程と、を含む有機トランジスタの製造方法であって、表面処理膜を形成する前に、オゾン雰囲気下でゲート絶縁膜にUV照射を行うUV照射処理工程を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜上に表面処理膜を形成する工程と、 前記表面処理膜上に有機半導体膜を形成する工程と、を含む有機トランジスタの製造方法であって、 前記表面処理膜を形成する前に、オゾン雰囲気下で前記ゲート絶縁膜にUV照射を行うUV照射処理工程を含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (24)：

5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32