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J-GLOBAL ID：200903026748571820

歪ゲ-ジ用薄膜およびその製造法

Inventor： 村田 直樹
Applicant, Patent owner： エヌオーケー株式会社
Agent (1)： 吉田 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124157
Publication number (International publication number)：1995306002
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 クロム系合金材料を用いた歪ゲージ用薄膜であって、高いゲージ率を示すものを提供する。【構成】 クロムをターゲットに用い、アルゴン-窒素混合ガス雰囲気中で高周波スパッタリングして、窒素含有率が約0.1〜5原子%のクロム-窒素合金薄膜よりなる歪ゲージ用薄膜が製造される。

Claim (excerpt)：

窒素含有率が約0.1〜5原子%のクロム-窒素合金薄膜よりなる歪ゲージ用薄膜。

IPC (7)：

G01B 7/16 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  G01L 1/22 ,  H01C 7/00 ,  H01C 17/12 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01B 7/18 G ,  H01C 17/12