Pat
J-GLOBAL ID：200903026752138839

半導体装置の製造方法

Inventor：
三輪 浩之

About 三輪 浩之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993136912
Publication number (International publication number)：1994326123
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高性能なMOSFET等を得るに際し、ストレス発生などの問題なく、所望の局所領域(例えばソース,ドレイン近傍)のみ選択的にイオン注入を行うことができる新規な技術を提供する。【構成】 半導体基板1上に絶縁膜(ゲート酸化膜5)を形成し、第1の電気伝導膜(Poly Si6a)を形成し、その側壁に第2の絶縁膜(SiNスペーサ8)を形成し、第1導電型の拡散層(ソース,ドレイン拡散層9a,9b)を形成し、膜6a,8に近接させて第2の電気伝導膜Poly Si11を形成し、絶縁膜8を除去し、第1及び第2の電気伝導膜6a,11をマスクとして第2導電型の拡散層(ポケットイオン注入領域12a,12b)を形成し、第2の電気伝導膜11の表面にこれより低抵抗な第3の電気伝導膜(シリサイド10)を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、第1の電気伝導膜を形成する工程と、第1の電気伝導膜の側壁に第2の絶縁膜を形成する工程と、第1導電型の拡散層を形成する工程と、第1の電気伝導膜及び第2の絶縁膜に近接させて第2の電気伝導膜を形成する工程と、第2の絶縁膜を除去する工程と、第1及び第2の電気伝導膜をマスクとして第2導電型の拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265
FI (3)：
H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-233238
  • 特開昭62-117329
  • 特開昭63-062271
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM