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J-GLOBAL ID:200903026755785703
磁気記録再生装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994281937
Publication number (International publication number):1996147631
Application date: Nov. 16, 1994
Publication date: Jun. 07, 1996
Summary:
【要約】【目的】出力の高い磁気ヘッドを有し、高記録密度に適した磁気記録再生装置を提供する。【構成】自由層膜7、固定層膜8及び非磁性導体膜9の3層からなるスピンバルブ(SV)膜11、並びに交換膜10が、所定の幅及び高さにパターンニングされてあり、CoPt系合金の永久磁石膜からなるバイアス印加膜12が、SV膜11及び交換膜10隣接して左右に一対配置しているSVヘッドにおいて、バイアス印加膜12の磁化の方向13を右斜め上方向に向かせて、磁気抵抗効果(MR)膜幅方向とMR膜高さ方向の二成分を持たせてあり、SV膜11及び交換膜10の高さとバイアス印加膜12の高さを等しくしてあり、バイアス印加膜12は、SV膜11と電気的に接合する一対の電極の役割も果たしている。
Claim (excerpt):
信号を磁気的に記録する記録媒体と、前記記録媒体から漏洩する磁界の変化を再生信号に変換する磁気ヘッドとを備え、前記磁気ヘッドが、所定の大きさにパターンニングされた単層膜又は多層膜からなる磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜を前記磁気抵抗効果膜の幅方向に磁区制御するバイアス印加膜とを、少なくとも有している磁気抵抗効果型ヘッドである磁気記録再生装置において、前記バイアス印加膜における磁化の方向、又は磁気的な異方性の方向が、前記磁気抵抗効果膜の幅方向と、この幅方向に直交する前記磁気抵抗効果膜の高さ方向との二成分を有するように、前記バイアス印加膜に斜め方向に着磁していることを特徴とする磁気記録再生装置。
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