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J-GLOBAL ID：200903026757493289

半導体センサの製造方法、及び半導体センサ

Inventor： 根木 敬子 ,  橋本 雅人 ,  千田 英美 ,  千田 和身 ,  岡山 倫久 ,  長尾 勝
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 大庭 咲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267842
Publication number (International publication number)：2001091262
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体センサの可動部の突起部(ストッパ)を確実に形成することが可能な製造方法を提供すること。【解決手段】 基板10に対向するとともに振動可能に支持された可動部40と、突起部21とを有する半導体センサの製造方法において、基板上に犠牲層20及び可動部層40aを形成する工程と、可動部層に複数の貫通孔40bを形成する工程と、一部の貫通孔を可視光線を透過するレジストR1にて閉塞するとともに閉塞されていない貫通孔40bを介してエッチング液を導入し犠牲層のエッチングを行う工程と、閉塞された貫通孔を開放する工程と、開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下の犠牲層をエッチングにより除去する工程とを含んだ。これにより、突起部形成にあたってレジストR1の直下の犠牲層のエッチング状況を視認できるようになり、突起部の形成が確実なものとなる。

Claim (excerpt)：

基板に空間を挟んで対向するとともに同基板に対し振動可能に支持された可動部と、前記基板から前記可動部に向けて突出する突起部とを有する半導体センサの製造方法において、前記基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に前記可動部となる可動部層を形成する工程と、前記可動部層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔のうちの一部の貫通孔を閉塞する工程と、前記貫通孔のうちの閉塞されていない貫通孔を介してエッチング液を導入し前記犠牲層のエッチングを行う第1エッチング工程と、前記閉塞された貫通孔を開放する工程と、前記開放された貫通孔を介して同貫通孔の直下の前記犠牲層をエッチングにより除去する第2エッチング工程とを含んだことを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (3)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84

FI (3)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z

F-Term (18)：

2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD07 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA34 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112FA07 ,  4M112GA01