Pat
J-GLOBAL ID：200903026764457395

発光素子及び発光素子の製造方法

Inventor：
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉

, 
大池 智之

About 大池 智之

, 
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007061869
Publication number (International publication number)：2007281438
Application date： Mar. 12, 2007
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：
【課題】直流駆動型発光素子において、高輝度のものを得るとともに、低温でなくても発光するものを得る。【解決手段】カルコパイライト化合物半導体で構成される層12が、ドナーアクセプター発光体13に隣接して積層され、ドナーアクセプター発光体13は、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する層である。また、カルコパイライト化合物半導体がI-III-VI2型で表され、I族がCu及びAgのいずれかから、III族がAl、Ga及びInのいずれかから、VI族がS、Se及びTeのいずれかから選ばれるものである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
カルコパイライト化合物半導体で構成される層と、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する発光層が隣接して積層されることを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/56
FI (2)：
H01L33/00 A ,  C09K11/56
F-Term (20)：
4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001YA07 ,  4H001YA09 ,  4H001YA13 ,  4H001YA17 ,  4H001YA29 ,  4H001YA31 ,  4H001YA35 ,  4H001YA47 ,  4H001YA49 ,  4H001YA53 ,  4H001YA79 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA24 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-359481
  • 電界効果トランジスタ型発光素子
    Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2003001716   Applicant：HOYA株式会社
  • 特開平2-220481
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM