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J-GLOBAL ID：200903026778487580
シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000379470
Publication number (International publication number)：2002184724
Application date： Dec. 13, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 シリコンインゴットを切り屑を出さずに高精度で切断可能な、シリコンインゴット切断装置及びシリコンインゴットの切断方法を提供する。【解決手段】 シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断するシリコンインゴット切断装置(25)において、紫外線のエキシマレーザ光(11)を連続発振するエキシマレーザ装置(1)と、エキシマレーザ光(11)をシリコンインゴット(18)表面に集光照射する集光光学系(24)とを備え、連続発振したエキシマレーザ光(11)を、シリコンインゴット(18)表面に集光照射してこれを割断することによって、シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断することを特徴とするシリコンインゴット切断装置。
Claim (excerpt)：
シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断するシリコンインゴット切断装置(25)において、紫外線のエキシマレーザ光(11)を発振するエキシマレーザ装置(1)と、エキシマレーザ光(11)をシリコンインゴット(18)表面に集光照射する集光光学系(24)とを備えたことを特徴とするシリコンインゴット切断装置。
IPC (4)：
H01L 21/304 611
, B23K 26/00 320
, B28D 5/04
, B23K101:40
H01L 21/304 611 Z
, B23K 26/00 320 E
, B28D 5/04 B
, B23K101:40
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069CA04
, 3C069EA05
, 4E068AE00
, 4E068CA01
, 4E068DA10
, 4E068DB11
Cited by examiner (6)
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特開昭57-173118
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薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-072226
Applicant：キヤノン株式会社
-
単結晶の切断方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-210192
Applicant：大見忠弘, 信越半導体株式会社
-
エキシマレーザ装置及びシリコン切断装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-291438
Applicant：株式会社小松製作所, 大見忠弘
-
ウエハの製法およびそれに用いる装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-302749
Applicant：大同ほくさん株式会社
-
特公平1-046235
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Article cited by the Patent：
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