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J-GLOBAL ID：200903026804111241

発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法

Inventor： 中園 隆一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994199778
Publication number (International publication number)：1996064868
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】サファイア基板を用いたGaN成長結晶の質を大幅に高め、発光光率を上げる。【構成】サファイア基板に、水素を流しながら1150°Cで20分間保持し表面処理を行う。次に600°C〜700°Cに降温させ、TMAとNH3 と水素を流して、1分間AlNのバッファ層を成長させる。AlNバッファ層成長後、さらに500°C〜550°Cに降温し、TMGとNH3 と水素を流してGaNバッファ層を2分30秒成長させる。バッファ層成長後、1000°Cに昇温し、TMGとNH3 、水素を流して、90分間GaN層を成長させた。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にバッファ層と窒化ガリウム層とを有する発光ダイオードにおいて、上記バッファ層が窒化アルミニウム層からなる第1のバッファ層と、窒化ガリウム層からなる第2のバッファ層とを備えたことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12