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J-GLOBAL ID：200903026818396575
平坦化膜の形成方法およびその形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994026105
Publication number (International publication number)：1995221006
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、簡単にかつ基板面内全域にわたってその表面が平坦になるような平坦化膜の形成を図るとともに、その膜を形成する装置を提供する。【構成】 平坦化膜の形成方法としては、第1工程で、基板11の表面11a に塗布剤31を供給し、第2工程で、表面11a とそれに対して平行に対向する平坦面21aを有する平坦化基体21とで塗布剤31を押圧して、その塗布剤31を表面11a の面内に広げる。次いで第3工程で、広げた塗布剤31を硬化させて薄膜35を形成する。その後第4工程で、薄膜35から平坦化基体21を離す。また平坦化膜形成装置(図示せず)は、基板11を載置するステージ(図示せず)と、これに載置される基板11の表面11a に対して平行に対向する平坦面21a を有する平坦化基体21と、平坦化基体21を昇降させかつ上記ステージ側に押圧する駆動部(図示せず)とからなるものである。
Claim (excerpt)：
基板の一表面に塗布剤を供給する第1工程と、前記基板と前記塗布剤を供給した表面に平行に対向する平坦面を有する平坦化基体とで当該塗布剤を押圧して当該基板面内に広げる第2工程と、前記広げた塗布剤を硬化させて、当該基板表面に硬化させた塗布剤からなる薄膜を形成する第3工程と、前記薄膜から前記平坦化基体を離す第4工程とからなることを特徴とする平坦化膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/30 578
, H01L 21/88 K
, H01L 21/90 Q
