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J-GLOBAL ID：200903026819460609

窒化物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
中原 健

About 中原 健


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005352369
Publication number (International publication number)：2007158100
Application date： Dec. 06, 2005
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：
【課題】特別な工程を加えることなくチップ分離を容易にし、製造工程時間を短縮することができ、チップ分離の際に発光領域に損傷が加わらないようにすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】成長用基板1上に誘電体マスク2を形成したものに、窒化物半導体結晶10を成長させる。窒化物半導体結晶10は、n型窒化物半導体層3、活性層4、p型窒化物半導体層5等で構成されている。誘電体マスク2は、チップ形状に合わせて、矩形状にくり抜かれた開口部を有しており、この開口部の領域において成長用基板1上で、窒化物半導体結晶10を成長させ、隣接するチップ間が分離した状態で結晶成長を終了させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
成長用基板上に発光領域を含む窒化物半導体結晶と第1電極層を形成し、前記窒化物半導体結晶と第1電極層を支持基板に転写した後、前記第1電極層と対向するように第2電極層を前記窒化物半導体結晶上に形成する窒化物半導体発光素子の製造方法において、 前記成長用基板上に矩形状の開口部を有する誘電体マスクをパターニングした後に、前記窒化物半導体結晶を選択成長させて矩形状に分離された状態で結晶成長を終了させることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
F-Term (19)：
5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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