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J-GLOBAL ID：200903026821632352

シリカメソ構造体薄膜、メソポーラスシリカ薄膜、シリカメソ構造体薄膜の製造方法及びメソポーラスシリカ薄膜の製造方法

Inventor： 宮田 浩克
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001140184
Publication number (International publication number)：2002338229
Application date： May. 10, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 任意の基板上に形成した配向性を有するシリカメソ構造体薄膜およびメソポーラスシリカ薄膜を提供する。【解決手段】 基板上に設けられた高分子化合物膜上に形成されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜が直線偏光照射によって表面に構造の異方性が付与された高分子化合物膜の一部分もしくは全部に形成されているシリカメソ構造体薄膜。該シリカメソ構造体の細孔中から界面活性剤を除去した、中空構造の細孔からなるメソポーラスシリカ薄膜。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた高分子化合物膜上に形成されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜が直線偏光照射によって表面に構造の異方性が付与された高分子化合物膜の一部分もしくは全部に形成されていることを特徴とするシリカメソ構造体薄膜。

IPC (9)：

C01B 33/12 ,  B01D 67/00 500 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 ,  B01J 19/12 ,  B01J 20/10 ,  B01J 20/28 ,  B01J 20/32 ,  C01B 37/02

FI (9)：

C01B 33/12 C ,  B01D 67/00 500 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 ,  B01J 19/12 G ,  B01J 20/10 A ,  B01J 20/28 A ,  B01J 20/32 ,  C01B 37/02

F-Term (46)：

4D006GA06 ,  4D006GA07 ,  4D006HA42 ,  4D006MA03 ,  4D006MA06 ,  4D006MA25 ,  4D006MC01X ,  4D006MC03 ,  4D006MC04X ,  4D006NA04 ,  4D006NA32 ,  4D006NA46 ,  4D006NA62 ,  4D006PC80 ,  4G066AA22B ,  4G066AA71C ,  4G066AB18A ,  4G066AC27C ,  4G066AC27D ,  4G066BA03 ,  4G066BA05 ,  4G066BA38 ,  4G066FA11 ,  4G066FA22 ,  4G066FA31 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072FF01 ,  4G072FF02 ,  4G072FF07 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072UU11 ,  4G072UU15 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ53 ,  4G073UA01 ,  4G073UA06 ,  4G075AA24 ,  4G075BB10 ,  4G075CA33 ,  4G075CA36 ,  4G075DA02