熱電素子用結晶体及びその製造方法並びに熱電素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002154415
Publication number (International publication number)：2003347608
Application date： May. 28, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】欠陥が少なく、熱電特性に特に優れる熱電素子用結晶体及びその結晶体を高歩留まり、低コストで製造する製造方法並びに熱電素子の製造方法を提供する。【解決手段】断面積10mm2以下、長さ10mm以上の劈開性を有する柱状の半導体結晶からなり、該半導体結晶におけるいずれの1mmの長さ範囲においても、劈開面が1方向又は2方向であり、且つ両端面を除く面におけるカーボン量及び酸素量が、それぞれ内部よりも表面部で多いことを特徴とし、特に前記表面部の厚みが少なくとも10nm、前記半導体結晶の断面形状が熱電モジュールに搭載する熱電素子の断面形状と略同一であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

断面積10mm2以下、長さ10mm以上の劈開性を有する柱状の半導体結晶からなり、該半導体結晶におけるいずれの1mmの長さ範囲においても、劈開面が1方向又は2方向であり、且つ両端面を除く面におけるカーボン量及び酸素量が、それぞれ内部よりも表面部で多いことを特徴とする熱電素子用結晶体。

IPC (9)：

H01L 35/34 , C22C 12/00 , C22C 28/00 , C22F 1/16 , C30B 29/60 , H01L 35/16 , C22F 1/00 650 , C22F 1/00 661 , C22F 1/00 691

FI (9)：

H01L 35/34 , C22C 12/00 , C22C 28/00 Z , C22F 1/16 Z , C30B 29/60 , H01L 35/16 , C22F 1/00 650 Z , C22F 1/00 661 Z , C22F 1/00 691 B

F-Term (18)：

4G077AA02 , 4G077AB10 , 4G077BA07 , 4G077CD02 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EG01 , 4G077EG02 , 4G077EH09 , 4G077FE11 , 4G077HA06 , 4G077MA01 , 4G077MA02 , 4G077MB02 , 4G077MB32 , 4G077PD01 , 4G077PD02 , 4G077PF51

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体素子の製造方法、製造装置および熱電変換モジュールの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-095545 Applicant：オリオン機械株式会社
熱電材料製のインゴット板
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-530745 Applicant：松下電工株式会社, クリスタルリミッティド
熱電変換素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-107634 Applicant：株式会社トーキン, 佐藤利三郎, 増本健

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