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J-GLOBAL ID：200903026835266731

集積回路内の半導体デバイスおよびその構成方法

Inventor： ガド エス、ハース
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003131296
Publication number (International publication number)：2004006864
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】半導体デバイスの活性領域と導電層との間に導電性を付与するための従来の技術に関連する欠点および問題を軽減し、または解消する。【解決手段】本発明の1つの実施例においては、集積回路内の半導体デバイスは、その半導体デバイス10の接点構造40に関連する活性領域22を含む。半導体デバイス10はまた、半導体デバイス10の接点構造40と、集積回路内の1つまたはそれ以上の他の半導体デバイスとの間に、導電性を付与する導電層34を含む。半導体デバイス10はまた、カーボンナノチューブ32の第1の端部44が活性領域22に接続され、カーボンナノチューブ32の第2の端部48が導電層34に接続された、多数のカーボンナノチューブ32であって、接点構造40のビア24内を活性領域22から導電層34まで延びて、活性領域22と導電層34との間に導電性を付与する前記カーボンナノチューブ32を含む。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

集積回路内の半導体デバイスにおいて、 前記半導体デバイスの接点構造に関連する活性領域と、 前記半導体デバイスの前記接点構造と、前記集積回路内の1つまたはそれ以上の他の半導体デバイスとの間に、導電性を付与する導電層と、 複数のカーボンナノチューブの第1の端部は前記活性領域に結合され、前記カーボンナノチューブの第2の端部は前記導電層に結合され、前記カーボンナノチューブは前記接点構造のビア内を前記活性領域から前記導電層まで延びて、前記活性領域と前記導電層との間に導電性を付与する前記複数のカーボンナノチューブと、 を含む前記半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06

FI (3)：

H01L21/28 301Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/90 B

F-Term (44)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104FF21 ,  4M104GG09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN12 ,  5F033NN15 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP12 ,  5F033RR04 ,  5F033VV06 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33