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J-GLOBAL ID：200903026841083916
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071970
Publication number (International publication number)：1993275712
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】電気的に浮遊状態にある導電膜を、重金属による汚染から保護する。【構成】半導体基板と、この半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜中に設けられ電気的に浮遊状態にある導電膜と、前記絶縁膜の上部に設けられた金属配線膜と、この金属配線膜と前記導電膜との間にこの導電膜を覆うように設けられ、窒素原子を含む薄膜とを具備したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、この半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜中に設けられ電気的に浮遊状態にある導電膜と、前記絶縁膜の上部に設けられた金属配線膜と、この金属配線膜と前記導電膜との間にこの導電膜を覆うように設けられ、窒素原子を含む薄膜とを具備したことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (4)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
