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J-GLOBAL ID：200903026853561864
プラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137255
Publication number (International publication number)：1996311654
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：
【要約】[目的] シャワープレートが長期間の使用によっても変形せず、薄膜を均一な膜厚で安定して形成させ得るプラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法を提供すること。[構成] 真空チャンバ19は、ガス導入パイプ24を備えカソードとなる上蓋としての電極フランジ11と容器部分16とからなり、真空チャンバ19内においてアノードとなるサセプタ18に被処理体Sが載置される。反応ガスを導入しRF電源でプラズマを励起させる成膜時、およびエッチングガスを導入しRF電源でプラズマを励起させるエッチング時のみ、エアシリンダ3に直結したプッシュピン4によってシャワープレート13を押付フランジ1に押し付けて固定する。
Claim (excerpt)：
真空チャンバ内に被処理体をセットし、多数の開孔を有するシャワープレートから反応ガスを流し込みプラズマを励起させて被処理体に薄膜を形成させ、成膜後に前記被処理体を取り外してエッチングガスを流し込みプラズマを励起させて前記真空チャンバ内をエッチングするプラズマCVD装置において、反応ガスおよびエッチングガスを流している時にシャワープレートを固定する機構が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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