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J-GLOBAL ID：200903026868470717

トンネル磁気抵抗積層膜およびトンネル磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気記録再生装置

Inventor： ▲高▼橋 宏昌 ,  川戸 良昭 ,  星屋 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998166581
Publication number (International publication number)：2000003507
Application date： Jun. 15, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】電気的に安定で、出力にノイズのないトンネル型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】トンネル型磁気抵抗効果素子を構成する少なくとも一つの層の膜面内での膜厚が部分的に同一層面内の他の部分の膜厚と比較して薄くなっている構造をもつ少なくとも一つの層について、前記層の膜面内での電気抵抗が部分的に同一層面内の他の部分の電気抵抗と異なることにある

Claim (excerpt)：

記録媒体に近接する対向面を介して前記記録媒体上に記録された信号を再生する磁気ヘッドを有する磁気記録再生装置において、前記磁気ヘッドが磁気的なギャップを形成する一対の磁気シールドと上記磁気ギャップ内に配置したトンネル型磁気抵抗効果膜とを有し、そのトンネル型磁気抵抗効果素子の構成が下部磁気シールド,下部導電ギャップ,トンネル磁気抵抗積層膜,上部導電ギャップ,上部磁気シールドが順次積層されてなり、上記トンネル磁気抵抗積層膜が、検知すべき磁界方向に対して平行な方向に反強磁性膜などにより磁気異方性が強く印加されてその磁化方向が固定されている固定側磁性膜と、上記検知すべき磁界方向に対して面内直交する方向に弱く異方性が印加されている自由側磁性膜と、上記固定側磁性膜と自由側磁性膜の間に形成したる絶縁性材料からなるバリヤ膜とからなるサンドイッチ構造を少なくとも上記素子の活性領域に有しており、そのトンネル型磁気抵抗効果素子を構成する少なくとも一つの層について、前記層の膜面内での膜厚が部分的に同一層面内の他の部分の膜厚と比較して薄くなっている構造をもつ、あるいは、前記トンネル型磁気抵抗効果素子を構成する少なくとも一つの層について、前記層の膜面内での電気抵抗が部分的に同一層面内の他の部分の電気抵抗と異なることを特徴とするトンネル磁気抵抗積層膜およびトンネル磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気記録再生装置。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02

FI (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/02 U

F-Term (8)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BB03 ,  5D034BB09 ,  5D034CA04 ,  5D091AA10 ,  5D091DD03