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J-GLOBAL ID：200903026883966281
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993183880
Publication number (International publication number)：1994097160
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】本発明は、不純物等に起因する電気抵抗の増大を招かずに、EM耐性,SM耐性に優れた電極または金属配線の形成工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板上に標準自由化エネルギーの低下が水素または炭素の酸化物よりも小さい金属酸化膜を形成する工程と、この基板に水素または炭素を含む還元ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより前記金属酸化膜を還元して前記金属酸化膜を構成する主たる金属からなる電極または配線を形成する工程とを具備することを特徴としている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された絶縁膜上に標準自由エネルギーの低下が水素または炭素の酸化物の標準自由エネルギーの低下より小さい金属酸化物からなる金属酸化膜を形成する工程と、前記金属酸化膜を還元して前記金属酸化物を構成する主たる金属からなる電極配線層を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
