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J-GLOBAL ID：200903026887759566

ダイヤモンドFETの製造方法

Inventor： 西林 良樹 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 柴田 康夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180898
Publication number (International publication number)：1993029609
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンドFETを、簡便にかつ確実に製造する方法を提供する。【構成】 ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程において、ソース電極およびドレイン電極の形状に選択成長用マスク材料層を第1ダイヤモンド層上に形成し、第2ダイヤモンド層を成長初期よりも成長終期において幅が太くなるように形成した後に、マスク材料層を除去し、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成することを特徴とするダイヤモンドFETの製造方法。

Claim (excerpt)：

第1ダイヤモンド層、第1ダイヤモンド層の上の第2ダイヤモンド層を有し、ソース電極およびドレイン電極が第1ダイヤモンド層上にあり、ゲート電極が第2ダイヤモンド層上にあるダイヤモンドFETの製造方法であって、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程において、ソース電極およびドレイン電極の形状に選択成長用マスク材料層を第1ダイヤモンド層上に形成し、第2ダイヤモンド層を成長初期よりも成長終期において幅が太くなるように形成した後に、マスク材料層を除去し、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成することを特徴とするダイヤモンドFETの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/804

FI (3)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/80 A