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J-GLOBAL ID：200903026897826377

酸化絶縁膜のアニ-ル方法

Inventor： 細谷 浩二 ,  壬生 博昭
Applicant, Patent owner： 日本電池株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998255956
Publication number (International publication number)：2000068265
Application date： Aug. 25, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 リーク電流を低減させることができ、短時間で処理できる、キャパシタ絶縁膜として用いられるタンタル酸化膜のアニール方法を提供する。【解決手段】 酸化絶縁膜を形成した試料を350〜600°Cに加熱するとともに、濃度10〜200g/m3 のオゾン雰囲気中で前記試料に紫外線を照射することを特徴とする酸化絶縁膜のアニール方法。

Claim (excerpt)：

酸化絶縁膜を形成した試料を350〜600°Cに加熱するとともに、濃度10〜200g/m3 のオゾン雰囲気中で前記試料に紫外線を照射することを特徴とする酸化絶縁膜のアニール方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/26 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/26 F ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

F-Term (22)：

5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF51 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD24 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 成膜・改質集合装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130258   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-323129   Applicant：沖電気工業株式会社
• 熱酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-196099   Applicant：日本真空技術株式会社
• 特開平4-180226
  
• タンタル酸化膜の形成方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-228675   Applicant：三星電子株式会社
• 改質方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130259   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平2-283022