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J-GLOBAL ID：200903026916109630
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992125402
Publication number (International publication number)：1993136374
Application date： Apr. 20, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 微細加工に適し、低消費電力で高速動作可能な記憶手段を有し、小型化、集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基体の主面側に設けれた柱状半導体領域と、該柱状半導体領域の側面にゲート絶縁膜5を介して設けられたゲート電極2と、該柱状半導体領域の上部及び下部に設けられた主電極領域と、を有する絶縁ゲート型トランジスタと、該上部の主電極領域上に設けられた電気的に破壊可能なメモリー要素70と、を具備することを特徴とする半導体装置、及びその製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体基体の主面側に設けられた柱状半導体領域と、該柱状半導体領域の側面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、該柱状半導体領域の上部及び下部に設けられた主電極領域と、を有する絶縁ゲート型トランジスタと、該上部の主電極領域上に設けられた電気的に破壊可能なメモリー要素と、を具備することを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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