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J-GLOBAL ID：200903026917999982

半導体レーザ装置

Inventor： 竹岡 忠士 ,  渡辺 昌規 ,  菅 康夫 ,  松本 晃広 ,  佐々木 和明 ,  中津 弘志 ,  近藤 正樹 ,  山本 修
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022915
Publication number (International publication number)：1993218571
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 それ自体が優れた低雑音特性を有し、例えば、光ディスク装置などの情報記録再生装置の光源として用いた場合に、高周波重畳回路や光アイソレータを用いる必要がなく、しかも高出力動作が可能となる半導体レーザ装置を実現する。【構成】 半導体レーザ素子を形成する共振器端面の出射端面側に、n-Al0.45Ga0.55As層121、高抵抗量子井戸層124およびp-Al0.45Ga0.55As層129からなる可飽和吸収体層128を形成する。n-Al0.45Ga0.55As層121とp-Al0.45Ga0.55As層129はp-n接合を形成し、高抵抗量子井戸層124はこのp-n接合により電界を印加される。半導体レーザ素子の低出力時にはこのp-n接合にる電界によって高抵抗量子井戸層124の量子化エネルギの波長がレーザ発振光の波長より長くなる。一方、半導体レーザ素子の高出力時には、光吸収によって生成されたキャリアによって高抵抗量子井戸層124の電界が減少し、これにより高抵抗量子井戸層124の量子化エネルギの波長が変化してレーザ発振光の波長より短くなる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子の出射端面側に、第1の導電型を有し、活性層よりバンドギャップの大きい第1の半導体層と、量子井戸層と、該第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、該活性層より該バンドギャップの大きい第2の半導体層とを積層し、該第1の半導体層と、該第2の半導体層とを導電体により接続した半導体レーザ装置において、該量子井戸層に生じる電子、正孔の量子化エネルギによる吸収端が、レーザ光が該量子井戸層に照射されていない場合および該レーザ光が低出力である場合にレーザ発振波長より長波長となるように設定する一方、該量子井戸層に生じる電子、正孔の量子化エネルギによる吸収端が、該レーザ光が高出力である場合に該レーザ発振波長より短波長となるように設定した半導体レーザ装置。