Pat
J-GLOBAL ID：200903026928342047
光ダイオードとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994305712
Publication number (International publication number)：1995183566
Application date： Nov. 16, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 必要なシリコン領域を最小にするような光ダイオード構造を提供することである。【構成】 本発明の半導体光ダイオード素子の構造は、光キャリア収集効率を改善するようなp-n接合サイズが増大した構造を有する。誘電体で絶縁された領域(シリコン-オン-絶縁構造体)内に形成された光ダイオードにおいて、収集p-n接合を発光ダイオードの裏面まで延長させて、光キャリアが再結合する前に、光キャリアを収集しようとするものである。光キャリア収集効率を増加させると、光ダイオードの駆動能力を増加させ、素子を形成するのに必要なシリコン領域を最小化できる。かくして、従来の固体リレー光ダイオードに比較して、本発明の光ダイオードのシリコン領域は減少するが、従来の光ダイオードとほぼ同一の駆動能力を達成できる。
Claim (excerpt)：
基板(102)内に底部と側壁とを有する絶縁領域(106)内に形成された光ダイオード(200)において、前記絶縁領域(106)内の底部に沿って形成された第1導電型(P)の半導体材料の第1層(202)と、前記第1層(202)の上に形成された第2導電型(N)の半導体材料の第2層(108)と、前記第2層(108)の上に形成され、前記第1層(202)と電気的に導通(120)する第1導電型(P)の半導体材料の第3層(116,118)と、からなり、前記第1層(202)と第2層(108)でもって、第1のp-n接合を形成し、前記第3層(116)と第2層(108)でもって、第2のp-n接合を形成し、前記第1のp-n接合は、前記絶縁領域の底部と側壁に広がる光生成キャリアを収集することを特徴とする光ダイオード。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 K
, H01L 31/10 H
