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J-GLOBAL ID：200903026929763097

半導体レーザ素子

Inventor： 池谷 晃 ,  伊地知 哲朗 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163957
Publication number (International publication number)：1994350193
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 安定した温度特性と低しきい値電流を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 GaAs基板37上にInGaPクラッド層33、光閉じ込め層34、量子井戸構造からなる活性層31、光閉じ込め層35、InGaPクラッド層32を順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ込め層34、35をIn1 -xGax Asy P1-y (ただし、0.52≦x≦1.0、0≦y≦1.0)により構成し、光閉じ込め層34、35のエネルギーバンドギャップを、活性層31側から層厚方向に連続的に拡大するようにする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上にInGaPクラッド層、光閉じ込め層、量子井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層、InGaPクラッド層を順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ込め層はIn1 -xGax Asy P1-y (ただし、0.52≦x≦1.0、0≦y≦1.0)からなり、光閉じ込め層のエネルギーバンドギャップは、活性層側から層厚方向に連続的に拡大することを特徴とする半導体レーザ素子。