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J-GLOBAL ID：200903026940511725

酸化ケイ素薄膜の形成方法

Inventor： 石川 道夫 ,  伊東 一幸
Applicant, Patent owner： 株式会社ジーティシー
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041758
Publication number (International publication number)：1993239649
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】【構成】 有機ケイ素ガスを含む反応ガスを用いてプラズマCVD法により酸化ケイ素薄膜を形成する際に、反応ガス中に水蒸気または水素を混合する。【効果】 400°C以下の基板温度で良質の酸化ケイ素薄膜が得られるようになり、安価なガラス基板の使用が可能となる。また、大型プラズマCVD装置では0.2W/cm2 以上の高周波電力を投入することは、歩留りの低下につながる場合もあるが、本発明により高周波投入電力の減少も可能になる。

Claim (excerpt)：

有機ケイ素ガスを含む反応ガスを用いてプラズマCVD法により酸化ケイ素薄膜を形成する際に、反応ガス中に水蒸気または水素を混合することを特徴とする酸化ケイ素薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-089876
  
• 特開昭63-282270