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J-GLOBAL ID：200903026944698340

カーボンナノチューブの製造方法

Inventor：
大島 久純

About 大島 久純


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005357706
Publication number (International publication number)：2007161512
Application date： Dec. 12, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：
【課題】カーボンナノチューブを気相合成により原料ガスの流れに沿った方向へ成長させる製造方法において、カーボンナノチューブの合成温度をより低くできるようにする。【解決手段】原料ガスが透過する基材を、触媒200を担持したメッシュ状の第1の電極12により構成し、この第1の電極12よりも原料ガスの流れ上流側に第2の電極15を設け、高周波電源16を介してこれら両電極間12、15に原料ガスによるプラズマを発生させ、第1の電極12における原料ガスの流れ下流側からカーボンナノチューブ100を原料ガスの流れに沿った方向へ成長させる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
炭素原子を含む原料ガスが透過可能であって触媒が担持された基材(12、50)に対し、前記基材(12、50)の一面(13)から他面(14、51a)側へ透過するように前記原料ガスを供給し、前記基材(12、50)における前記原料ガスの下流側となる前記他面(14、51a)側にて、カーボンナノチューブ(100)を気相合成により前記原料ガスの流れに沿った方向へ成長させるカーボンナノチューブの製造方法において、 前記基材(12、50)を、前記原料ガスが透過可能な第1の電極(12)を有するものとし、前記第1の電極(12)よりも前記原料ガスの流れ上流側に第2の電極(15)を設け、これら両電極間に前記原料ガスによるプラズマを発生させることにより、 前記第1の電極(12)における前記原料ガスの流れ下流側から前記カーボンナノチューブ(100)を前記原料ガスの流れに沿った方向へ成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/02 ,  B82B 3/00
FI (2)：
C01B31/02 101F ,  B82B3/00
F-Term (12)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD20 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC42 ,  4G146DA03 ,  4G146DA07 ,  4G146DA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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