半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002244523
Publication number (International publication number)：2004087640
Application date： Aug. 26, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】チャネル方向が<100>軸と平行な、nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタN1、N2と、pチャネル型電界効果トランジスタP1、P2とを有する半導体装置において、nチャネル型、pチャネル型電界効果トランジスタのゲート電極を上面より覆う応力制御膜209は、応力制御膜209が引張膜応力の場合は、pチャネル型電界効果トランジスタP1、P2の形成されるアクティブに隣接する浅溝素子分離上で、非設置、あるいは薄膜化する。これにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された、nチャネル型電界効果トランジスタと、pチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記トランジスタは、ゲート電極とそれに対応するソース及びドレインを備え、前記ソースとドレインとを結ぶ方向は、<100>結晶軸、若しくは、<100>結晶軸と等価な軸に沿う方向に形成され、前記pチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分の結晶のひずみは、前記nチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分の結晶のひずみより、大きい圧縮ひずみが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (4)：

H01L27/08 321A , H01L29/78 301H , H01L21/90 V , H01L21/90 K

F-Term (78)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033XX03 , 5F033XX15 , 5F033XX19 , 5F033XX34 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA10 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA37 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK27 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CC16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

電子及び正孔の移動度を向上させることができるCMOS素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-181890 Applicant：現代電子産業株式会社
特開昭64-048462

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