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J-GLOBAL ID：200903026975103379
アクティブマトリクス型液晶表示装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997019825
Publication number (International publication number)：1998206893
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 トップゲイト型もしくはボトムゲイト型の薄膜トランジスタトランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素の補助容量の形成方法に関する新規な構造を提供する。【解決手段】 ソースライン18と、それと同一層内の金属配線19を覆って、窒化珪素の如き誘電率の高い第1の絶縁性薄膜20を形成し、さらにその上に平坦性に優れた第2の絶縁膜21を形成する。そして、第2の絶縁膜21をエッチングして、開孔部22を設け、第1の絶縁膜20を選択的に露出させる。この上に遮光膜として機能する導電性被膜23を形成し、これと金属配線19の間に絶縁膜20を誘電体とする容量を形成し、これを画素の補助容量とする。また、補助容量は液晶分子の配向乱れ(ディスクリネーション)の影響の大きな部分に選択的に設けることにより、実質的な開口率を向上できる。
Claim (excerpt)：
スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ゲイトライン上に形成されたソースラインと、遮光膜として機能し、一定の電位に保持され、前記ソースラインと画素電極の中間の層にある導電性被膜と、ソースラインと前記導電性被膜との間に形成された層間絶縁物と、を有し、前記層間絶縁物は、下層の絶縁物層上に、異種の材料よりなる上層の絶縁物層があり、前記層間絶縁物には、その上層の絶縁物層を選択的にエッチングすることによって得られた開孔部が設けられ、前記開孔部において、前記導電性被膜と、下層の金属配線を両電極とし、前記下層の絶縁物層を誘電体とする補助容量が形成されており、前記下層の金属配線は、ソースラインと同層で、かつ、ソースラインと物理的に絶縁し、薄膜トランジスタのドレインと画素電極との間にコンタクトを有することを特徴とする。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 Z
