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J-GLOBAL ID：200903026979062286

マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法

Inventor： 李 秀樹
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993254680
Publication number (International publication number)：1995086187
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 プラズマレスで複数の処理室の内部のみならず、搬送室などの他のチャンバーの内部をも構成部材を損ねるこなく完全にクリーニングできるマルチチャンバー処理装置のクリーニング方法を提供する。【構成】 本マルチチャンバー処理装置のクリーニング方法は、半導体ウエハ8を処理する処理室1、2、3、これら各処理室へ半導体ウエハ8を搬送する搬送室4、16及び真空予備室12、13などのチャンバーを備えたマルチチャンバー処理装置の内部をクリーニングする方法際に、ClF3ガスを処理室2へ供給し、この処理室2を介して他の全てのチャンバーへClF3ガスを供給し、このClF3ガスにより全てのチャンバーの内部に付着した付着物を一括してクリーニングするようにしたものである。

Claim (excerpt)：

被処理体を処理する複数の処理室と、これら各処理室へ被処理体を搬送する搬送装置を設けた搬送室と、この搬送室に接続された予備室とを備えたマルチチャンバー処理装置の内部をクリーニングする方法において、ClF3ガスを上記複数の処理室の少なくとも一つの処理室へ供給し、この処理室を介して上記他の処理室、搬送室及び予備室へClF3ガスを供給し、このClF3ガスにより全てのチャンバーの内部に付着した付着物をクリーニングすることを特徴とするマルチチャンバー処理装置のクリーニング方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/68