Pat
J-GLOBAL ID:200903026989053099
シリコン加速度センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
草野 卓 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996117400
Publication number (International publication number):1997304426
Application date: May. 13, 1996
Publication date: Nov. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 配線の応力に起因するシリコン加速度センサの特性悪化を改善し、梁状構造部の破断に対する故障診断を加速度検出用ブリッジ回路の断線のみから判断することができるシリコン加速度センサを提供する。【解決手段】 シリコン基板1に形成した質量部2とこれを取り囲む枠部3と梁状構造部4を介して結合し、梁状構造部4の一部の領域に形成したピエゾ抵抗部Rの抵抗値の変化により入力加速度を検出するシリコン加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗部Rをコ字状ピエゾ抵抗部とし、ピエゾ抵抗部Rのコ字状部RK は梁状構造部4に形成し、ピエゾ抵抗部の接続部RC は枠部3に形成したシリコン加速度センサ。
Claim (excerpt):
シリコン基板に形成した質量部とこれを取り囲む枠部とが梁状構造部を介して結合し、梁状構造部の一部の領域に形成したピエゾ抵抗部の抵抗値の変化により入力加速度を検出するシリコン加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗部をコ字状ピエゾ抵抗部としたことを特徴とする加速度センサ。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
加速度センサとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-257606
Applicant:中田仗祐
-
半導体加速度センサおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-053418
Applicant:日産自動車株式会社
-
半導体加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-185205
Applicant:本田技研工業株式会社
Return to Previous Page