Pat

J-GLOBAL ID：200903026996990995

特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子

Inventor： フーベルト ベンツェル ,  ヘリベルト ヴェーバー ,  フランク シェーファー
Applicant, Patent owner： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (3)： 矢野 敏雄 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002552846
Publication number (International publication number)：2004525352
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

本発明は、該当する独立請求項の上位概念部に記載した形式の、特に可動質量体もしくは振動構造体(501,502;601,702)を有する半導体構成素子(300;400;500;600;700;900;1000;1100)、特に多層状の半導体構成素子を製作するための方法および該方法により製作された半導体構成素子から出発する。単結晶振動構造体(501,502;601,702)を備えたマイクロマシニング型の構成素子、特に加速度センサまたはヨーレートセンサを簡単にかつ廉価に表面マイクロマシニングで製作することができるようにするためには、本発明による方法では、第1のステップで第1の多孔質の層(301;901)を半導体構成素子に形成し、第2のステップで中空室もしくは空洞(302;1101)を、半導体構成素子に設けられた第1の多孔質の層(301)の下方にまたは第1の多孔質の層(901)から形成することが提案されている。

Claim (excerpt)：

特にシリコンから成る半導体基板(101)を有する半導体構成素子(300;400;500;600;700;900;1000;1100)、特に多層状の半導体構成素子、有利にはマイクロマシニング型の構成素子、特に加速度センサまたはヨーレートセンサを製作するための方法において、 第1のステップで第1の多孔質の層(301;901)を半導体構成素子に形成し; 第2のステップで中空室もしくは空洞(302;1101)を、半導体構成素子に設けられた第1の多孔質の層(301)の下方にまたは第1の多孔質の層(901)から形成する; ことを特徴とする、半導体構成素子を製作するための方法。

IPC (8)：

G01P15/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23F1/24 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L21/306 ,  H01L29/84

FI (9)：

G01P15/12 D ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23F1/24 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 Z ,  H01L21/306 B

F-Term (34)：

2F105BB14 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD11 ,  2F105CD13 ,  4K057WA12 ,  4K057WB06 ,  4K057WC10 ,  4K057WE07 ,  4K057WF06 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112CA32 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA07 ,  4M112DA11 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA06 ,  4M112FA20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043FF02 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10